德國費斯托FESTO光電式傳感器發展：1839年A.E.貝可勒爾發現當光線落在浸沒于電介液中的兩個金屬電極上，它們之間就產生電勢，后來稱這種現象為光生伏1873年W.史密斯和Ch.梅伊發現硒的光電導效應。1887年H.R.赫茲發現外光電效應。基于外光電效應的光電管和光電倍增管屬真空電子管或離子管器件，曾在50～60年代廣泛應用，直到目前仍在某些場合繼續使用。雖然早在1919年T.W.凱斯就已取得硫化光導探測器.，但半導體光敏元件卻是在60年代以后隨著半導體技術的發展而開始迅速發展的。在此期間各種光電材料都得到了全面的研究和廣泛的應用。它們的結構有單晶和多晶薄膜的，也有非晶的，它們的成分有元素半導體的和化合物半導體的，也有多元混晶的。其中最重要的兩種是硅和碲鎘汞。硅的原料豐富,工藝成熟,是制造從近紅外到紫外波段光電器件的優良材料。碲鎘汞是碲化汞和碲化鎘的混晶，是優良的紅外光敏材料。通過對光電效應和器件原理的研究已發展了多種光電器件（如光敏電阻、光電二極管、光電三極管、場效應光電管、雪崩光電二極管、電荷耦合器件等），適用于不同的場合。光電式傳感器的制造工藝也隨薄膜工藝、平面工藝和大規模集成電路技術的發展而達到很高的水平，并使產品的成本大為降低。被稱為新一代攝像器件的聚焦平面集成光敏陣列正在取代傳統的掃描攝像系統。光電式傳感器的新發展方向是采用有機化學汽相沉積、分子束外延、單分子膜生長等新技術和異質結等新工藝。光電式傳感器的應用領域已擴大到紡織、造紙、印刷、醫療、環境保護等領域。在紅外探測、輻射測量、光纖通信，自動控制等傳統應用領域的研究也有新發展。例如，硅光電二極管自校準技術的提出為光輻射的絕對測量提供了一種很有前途的新方法。

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